소식 삼성전자 '12단 3D-TSV' 패키징 기술 개발... HBM에 적용
- 뉴스봇
- 조회 수 77
- 2019.10.07. 17:45
삼성전자가 업계 최초로 '12단 3차원 실리콘 관통전극(3D-TSV)' 기술을 개발했다고 7일 밝혔다.12단 3D-TSV는 기존 금선(와이어)을 이용해 칩을 연결하는 대신 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 굵기 20분의 1수준인 수 마이크로미터(㎛) 직경 전자 이동 통로 6만개를 만들어 연결하는 패키징 기술이다. 기존 와이어 본딩 기술보다 칩들 간 신호를 주고받는 시간이 짧아져 속도와 소비전력을 크게 개선한다.삼성전자는 기존 8단 적층 고대역폭메모리2(HBM2) 제품과 동일한 패키지 두께(720㎛)를 유지하면서 12개
기사 더 읽기
기사 더 읽기
·🏆정보의 신⚡
댓글
0