미니 삼성파운드리 3GAA 관련된것을 정리해보자면
- 흡혈귀왕
- 조회 수 1950
- 2021.10.03. 21:25
일단 최초 발표때는 7LPP 대비
성능 30%
소비전력 50%
면적 45%
개선이라고 했습니다.
문제는 논란이 되었던것이
바로 요 수치입니다.
MBCFET 도입시 7나노 대비
성능 10%
소비전력 20%
면적 25%
개선이다라는게 삼성 공식 홈페이지에 소개됬습니다.
문제는 저 수치가 삼성파운드리의 오피셜
7LPP -> 5LPE 향상치라서 말이 많았습니다.
그래서 저 수치가 7LPP -> 3GAE 수치가 아닌
7LPP에 MBCFET 도입시 향상치네 아니네 말이 많았죠....
어쨋든 공식 로드맵에서 3GAE는 삭제됬습니다.
아마 3GAE는 S.LSI만 쓰는 과도기 3나노 MBCFET 공정일것으로 보이는데....
일단 3GAP 공정의 경우
4LPE/4LPP 이후
Pitch Scaling New TRArchitecure
라고 표시하는거 보면
3GAP는 풀노드급 개선 MBCFET 도입말고도 물리적인
면적개선이 있다라는 소리가됩니다.
대충 정리해보면
3GAE = 과도기 3나노 MBCFET공정으로 4LPP 백엔드 베이스일것으로 추정, S.LSI 차차기 엑시노스 한정으로 사용?
3GAP = 4LPE/4LPP 이후 풀노드 개선된 진정한 3나노 MBCFET 공정으로 대형 고객사를 타겟으로한 범용 공정
정도로 정리될것으로 보입니다.
제대로된 PPA는
10월에 있을 파운드리 포럼을 봐야할것으로 보이네요.
댓글
막줄 2줄만 읽으면 됩니다.
삼파는 계속 수치 반영을 해서 수정하는지라 골 아프죠