소식 TI, GaN 고성능 전력 반도체 개발…충전기 크기 절반 줄였다
- 뉴스봇
- 조회 수 345
- 2020.11.12. 20:30
텍사스인스트루먼트(TI)가 질화갈륨(GaN) 소재를 적용한 차량용 650볼트(V)와 600V 트랜지스터(FET) 개발에 성공했다. 기존 실리콘 기반 전력 반도체와 비교해 충전기 크기를 절반으로 줄이면서 전력 밀도는 두 배 높였다.
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텍사스인스트루먼트(TI)가 질화갈륨(GaN) 소재를 적용한 차량용 650볼트(V)와 600V 트랜지스터(FET) 개발에 성공했다. 기존 실리콘 기반 전력 반도체와 비교해 충전기 크기를 절반으로 줄이면서 전력 밀도는 두 배 높였다.
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드디어 올것이 왔군요