미니 TSMC N5가 고밀도 HD 스탠다드셀 기준 트랜지스터 밀도가 170MTr/mm2 인데...
- 흡혈귀왕
- 조회 수 500
- 2021.01.09. 23:57
TSMC N5 HD셀로 제조된
애플 A14의 경우 트랜지스터 밀도가 130MTr/mm2로 스탠다드셀 보다 밀도가 떨어지고
면적이 더 큽니다...
보통 반도체 특성상
칩 면적이 작아지고 트랜지스터 밀도가 높아지면 누설전류가 발생하는데
이 누설전력을 잡는게 바로 공정 기술력입니다.
일단 TSMC N5 공정이 생각보다 굉장히 공격적인
트랜지스터밀도를 갖고있는데....
뭔가 스탠다드셀 기준 고대로 썼을때 생각보다 발열이나 누설전류가 있는지라
스탠다드셀 보다 조금 트레이드오프해서 칩 면적과 밀도를 좀 희생했을수도 있을거같네요.
타사 7나노같은 10나노가 좋은게 아니라는건 이미 인텔이
보여준 사례가 있더랬죠 ㅡㅡㅋ
아무튼 이제 FinFET쪽은 슬슬 힘들어보이니
MECFET(삼성은 GAAFET으로 칭함)으로 넘어가는게 맞을듯하네요.
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A14 게임시 배터리 광탈 이슈도 있지 않았나요?