삼성전자가 이번 주 중반께 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노미터(㎚=10억분의 1ｍ) 공정 양산 돌입을 발표한다. 초미세 공정을 먼저 개발해 퀄컴, 엔비디아 등 고객을 확보하는 한편, 파운드리 세계 1위인 대만 TSMC를 따라잡는 동시에 파운드리 재진출을 선언한 인텔의 추격까지 물리치는 계기를 마련하겠다는 게 삼성전자의 복안이다.

26일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 이번 주중 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 공정 양산을 공식 발표할 전망이다. 삼성전자는 3나노 기반의 새로운 고객사 확보와 관련한 내용도 함께 발표할지 내부적으로 검토하고 있다. 업계 관계자는 “고객사 칩 도입 일정에 따라 3나노 GAA반도체 개발이 기존 계획과 차질없이 이뤄진 것으로 안다”며 “이번 주 양산 계획을 발표할 것”이라고 말했다.

반면 GAA 구조에서는 전류의 흐름을 보다 세밀하게 조정할 수 있는 만큼 전력 효율이 보다 개선될 수 있다. 핀펫은 전류가 흐르는 채널이 3개면이었지만, GAA는 단어 그대로 ‘모든 면에서’ 전류가 흐르는 구조여서 트랜지스터 사이즈가 작아지고, 궁극적으로 반도체를 더 소형화할 수 있게 된다. 3나노 GAA 공정을 활용하면 7나노 핀펫 대비 칩 면적은 45%, 소비전력의 경우 50% 절감할 수 있다는 게 업계의 설명이다. 성능 역시 약 35% 향상될 것으로 예상된다. 이 기술은 핀펫 공정과 호환성이 높아 기존 설비·기술을 그대로 쓸 수 있다는 장점도 있다.