반도체는 나노 단위의 회로 선폭을 좁히며 발전해 왔습니다. 초미세 공정을 구현하려면 회로에 패턴을 그리는 노광 공정 기술이 개선되어야 합니다. 이를 구현하기 위해선 노광장비 성능이 높아져야 합니다.

노광장비의 성능은 더 미세하게 회로를 그릴 수 있는 해상력(resolution)에 달려 있습니다. 해상력을 높이려면 노광원 파장(λ), 공정변수(K1), 렌즈 수차(NA) 가운데 한 가지 이상을 개선해야 합니다. EUV는 이 가운데 노광원 파장을 선택한 경우입니다.

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