한 논문에서는 High NA 시스템의 성숙도가 Low NA가 도입 초기에 겪었던 수준보다 훨씬 앞서 있다고 언급하며, 이는 고객사 입장에서 도입 및 적용에 따른 리스크가 훨씬 낮다는 것을 뒷받침한다고 설명합니다.

인텔(Intel)은 한 분기 동안 3만 장 이상의 웨이퍼를 노광했다고 보고했으며, 특정 레이어에서 공정 단계를 40단계 이상에서 10단계 미만으로 줄임으로써 상당한 공정 개선을 이루었다고 밝혔습니다. 이에 따라 사이클 타임도 크게 개선되었으며, 삼성전자(Samsung) 또한 특정 사례에서 사이클 타임이 60% 개선되었다고 보고했습니다.

저희는 올해 1분기에 5번째이자 마지막 EXE:5000 High NA 시스템을 출하했으며, 현재는 세 고객사에 시스템이 배치되어 있습니다. 후속 High NA 시스템 모델인 EXE:5200은 올해 2분기부터 출하될 예정입니다.

앞서 설명드린 바와 같이, 고객사들은 High NA 기술 도입을 3단계에 걸쳐 진행하게 됩니다. 현재는 1단계에 해당하며, 이 단계에서 고객사들은 R&D 시설에 시스템을 도입해, 차세대 노드를 위한 High NA의 가치와 역량을 저희와 함께 평가하고 있습니다.

2단계는 2026년부터 2027년 사이에 진행될 것으로 예상되며, 이 시기에는 고객사들이 1~2개의 레이어에 시스템을 적용하여 대량 생산에 적합한지를 검증하게 됩니다. 3단계는 High NA를 가장 중요한 레이어와 최첨단 노드에 설계에 포함시키고, 대량 생산에 활용하는 단계입니다.