AMD가 최근 공개한 라이젠 9000 시리즈 CPU의 트랜지스터 집적도가 전 세대 대비 크게 향상된 것으로 밝혀졌습니다.

탐스하드웨어에 따르면, 라이젠 9000 시리즈의 '엘도라(Eldora)' 코어 콤플렉스 다이는 TSMC의 4nm 공정을 사용해 제조됐고, 약 70.6mm²의 다이 크기에 83억 1,500만 개의 트랜지스터를 집적하고 있습니다.

이는 5nm 공정으로 만들어진 전세대 라이젠 7000 시리즈의 '듀랑고(Durango)' CCD 다이가 약 71mm² 크기에 65억 개의 트랜지스터를 탑재한 것과 비교하면 약 28% 향상된 수치입니다.

AMD는 트랜지스터 집적도 향상을 통해 CPU의 성능을 향상시키고 전력 효율을 높일 수 있었습니다. 특히, 라이젠 9000 시리즈는 전세대 대비 더 많은 코어와 캐시 메모리를 탑재하면서도 비슷한 수준의 다이 크기를 유지할 수 있었습니다.

한편, AMD는 라이젠 9000 시리즈 외에도 4nm 공정 기반의 새로운 APU '스트릭스 포인트(Strix Point)'도 준비 중입니다. 스트릭스 포인트는 232.5mm²의 다이 크기에 젠5 코어 4개, 젠5c 코어 8개, 36MB의 L2+L3 캐시를 탑재할 것으로 알려졌습니다.

탐스하드웨어는 스트릭스 포인트가 AMD의 APU 중에서도 상당히 큰 규모이며, 이는 비용 상승으로 이어질 수 있다고 분석했습니다.