대만 파운드리 TSMC가 차세대 AI 반도체 시장을 목표로 첨담 패키징 기술을 고도화하고 있어 주목된다. AI 반도체가 점차 고성능·대면적화되는 추세에 맞춰, HBM4(6세대 고대역폭메모리)를 80개까지 탑재한 제품을 고안해낸 것으로 파악됐다.12일 업계에 따르면 TSMC는 지난달 말 미국 텍사스주에서 열린 'ECTC 2025(전자부품기술학회)'에서 초대형 AI 반도체를 위한 '시스템온웨이퍼(SoW-X)'의 구체적인 구조를 발표했다.SoW-X는 TSMC가 오는 2027년 양산을 목표로 하고 있는 차세대 패키징 기술이다. GPU·CPU 등 고성능 시스템반도체와 HBM을 집적한 AI 반도체 분야에 적용될 예정이다.SoW-X는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB)나 실리콘 인터포저(칩과 기판 사이에 삽입되는 얇은 막)를 사용하지 않고, 메모리 및 시스템반도체를 웨이퍼 상에서 직접 연결하는 것이 핵심이다.각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 이 때 RDL은 칩 외부로 확장되는데, TSMC에서는 이를 InFO(Integrated Fan-Out)라고 부른다.SoW-X는 웨이퍼 전체를 활용하기 때문에 초대형 AI 반도체 제작이 가능하다.


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