삼성전자는 28일 2022년 1분기 실적 컨퍼런스콜을 통해 반도체 사업에 대한 향후 계획 및 전략에 대해 밝혔다.

먼저 삼성전자는 "삼성이 D램 개발에서 1b 나노를 건너뛰고 1c로 갈 수 있다는 얘기가 나온다"는 질문에 "사실무근"이라고 답변했다. 1b는 회로의 선폭을 12nm로 구현하는 선단 D램 공정이다. 앞서 일부 매체에서는 삼성전자가 기술 개발에 난항을 겪어 1b 개발을 건너뛰고 다음 세대인 1c D램을 개발할 것이라고 보도한 바 있다.

이에 대해 삼성전자는 "1b 개발 포기는 사실이 아니며 기존 양산 예정에도 차질이 없을 것"이라며 "1b 개발 계획이 안정적으로 진행되고 있으며, 중장기적으로 이후의 노드도 개발 계획에 맞춰 진행할 예정"이라고 말했다.

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