10나노 D램 1b 개발 차질
차세대 공정 로드맵 수정
SK하이닉스·마이크론 등
경쟁사 추격 더욱 거셀 듯

삼성전자가 초격차 전략의 일환으로 야심차게 추진한 10나노 초반대 D램인 1b(5세대·12~13나노급) 개발에 차질을 빚으면서 비상이 걸렸다.

핵심사업인 메모리반도체 초격차 전략의 궤도수정이 불가피한 상황이다. 삼성전자는 차선책을 강구하고 있지만 압도적 기술력으로 메모리 업계의 절대강자로 군림했던 시장지배력에 적신호가 켜졌다는 분석이 나오고 있다.

12일 파이낸셜뉴스 취재 결과 삼성전자에서 반도체 선행개발을 담당하는 반도체연구소는 최근 10나노 초반대 D램인 1b에 대한 연구개발(R&D)을 중도 포기한 것으로 확인됐다. 지난해 하반기 1b D램 전담팀(TF)까지 신설해 프로젝트에 대한 의지를 보였지만 결국 '나노의 벽'을 넘지 못한 것이다. 이와 관련, 회사 관계자는 "연구를 진행하던 임직원들을 대상으로 1b 중도 포기(드롭) 내용 안내메일이 전송됐다"면서 "지금까지 진행한 1b 연구는 실패라는 결과를 인정하고 백지화한다는 뜻이며, 이후 연구방향에 대해서는 심도 있는 논의가 이어지고 있다"고 말했다.