삼성전자가 차세대 D램 극자외선(EUV) 노광 공정에 금속산화물레지스트(MOR) 적용을 검토 중이다. MOR은 차세대 포토레지스트(PR) 중 하나다. 기존 화학증폭형레지스트(CAR) 대비 해상력이 높고, 식각 저항이 우수하다는 장점이 있다. 29일 업계에 따르면 삼성전자가 10nm 6세대(1c) D램 양산에 인프리아 MOR 적용을 검토 중이다. MOR은 1c D램 레이어 중 가장 미세한 선폭을 요하는 곳에 쓰일 것으로 보인다.인프리아는 일본 소재 기업 JSR의 자회사다.

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