SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 수요 확대에 대비해 5세대(1b) 10나노급 D램 증설에 본격 나서고 있다. 올 연말까지 월 9만장까지 생산능력을 확대하겠다는 계획을 세웠다. 이는 지난 해 연말 계획(7만장)과 대비 2만장이나 늘어난 수치다. 업계에서는 HBM 수요 강세가 지속되고 있는 만큼, 증설량이 추가로 확대될 수 있다는 추정도 내놓고 있다. 14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 5세대 1b D램 증설을 진행 중이다.


기사 더 읽기