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Zen3가 Zen2 대비 공식 발표상 IPC 19%, SEPC2006 기준으론 최대 21~25% 향상했는데

 

5nm 공정으로 제조될 Zen4도 이것만큼 큰 성능 향상을 예고했습니다.

캐시부터 분기 예측, 실행 파이프라인에 걸치기까지 전반적인 아키텍쳐에서의 변경이되서

두자리수 IPC 향상이 될거라네요.

 

7nm -> 5nm 공정이 풀노드로 전환된 만큼 전성비와 공정 미세화 이점도 챙기구요.

 

 

RDNA3의 언급도 있었는데 RDNA2가 RDNA1 대비 전성비 50% 향상이 있었으므로

5nm 공정으로 제조될 RDNA3도 그와 비슷한 전성비 개선을 시사했습니다.

 

 

 

 

 

그리고 흥미로운 이야기가 있습니다.

TSMC 7nm EUV 언급이 있는데, 

 

"EUV는 확실히 제조 공정중 한 옵션이긴 하지만, 선택할만한 큰 이점이 없다."

"7nm에서는 시간이 지나면서 활용할 수 있는 추가 노드가 있다."

 

라며 회의적인 반응을 보였다네요?

 

 

여기서 생각해볼수있는건...

 

생각보다 EUV가 성능에 이점을 제공하지 않거나

TSMC N7+ 성능 자체가 비싼 돈주고 쓸만큼 만족스러운 성능이 아니었다란것도 생각해볼수있을거같습니다?

 

특히나 Zen3는 초기로드맵때 EUV인 7nm+였다가 최신 로드맵에서 그냥 7nm로 바뀌더니

결국 Zen2와 완전 동일한 ArFi 7나노 HPC 공정을 사용했습니다.

 

 

 

저발언으로 추측하자면

내년 Zen3+기반 워홀의 경우, 7nm EUV로 제조될 가능성은 한없이 낮을듯합니다.

 

"7nm에서는 시간이 지나면서 활용할 수 있는 추가 노드가 있다."

 

라는 발언을 보면 결국 N7 후속 세대인 N7P나 N7E 같은걸 쓸거다란 이야기로 생각할수있습니다.

좀 공격적으로 한다면 N6일듯하지만 당장 7나노 세대에서 EUV를 회의적으로 보고있으니

N6보단 N7P나 N7E 가능성이 높겠죠.

 

아니면 워홀 전용 새로운 7나노 커스텀 옵션을 AMD에 TSMC가 제시했을수도 있구요.