10LPE vs 10FF 때만해도

밀도랑 면적은 10FF에 살짝 밀리긴했어도

10LPE가 반년정도 빨리출시했고

SPEC2006로 전성비 비교했을때 놀랍도록 동급이었습니다.

10LPP 나오고 10LPP의 경우 10FF 대비 밀도랑 면적은 조금 밀리지만

성능은 10LPP가 더 나았습니다.

8LPP야 뭐 포지션 생각하면 기냥저냥 무난하다고보기에 패스하고

EUV에 올인하면서 타겟성능을 너무 높게잡은건지

7LPP가 EUV 도입하고 TSMC N7 ArF 대비 1년이나 늦게 나왔는데

면적 5~8% 더 작은거빼면 성능이 N7 수준밖에 안됬습니다.

7LPP 베이스에 백엔드 축소로 밀도랑 면적 개선한 5LPE도 성능이 후달리는게 그대로 이어졌죠...

5LPE는 TSMC N5랑 비교는 고사하고 N6랑 비교시에도 평균 25% 혹은 최대 30%까지 전성비가 밀립니다.

신기하게 5LPE랑 N6은 스펙적으로 비슷한부분이 많습니다.

5LPE는 7LPP 베이스에 백엔드는 SDB, 6.0T, CPP 54nm, M2P 36nm

N6은 N7 베이스에 백엔드는 SDB, 6.0T, CPP 57nm, M2P 40nm

로 CPP랑 M2P는 5LPE쪽이 더 작지만

기본적으로 7나노 베이스에 SDB, 6.0T를 도입하는등 유사합니다.

근데 성능이 저리 거의 풀노드 수준으로 차이나는건.....

N6은 프론트엔드와 미들엔드는 N7에서 좀더 개선된 N7P 베이스고

5LPE는 프론트엔드와 미들엔드는 7LPP에서 거의 개선이 안됬다란 소리가 되겠죠.

성능쪽에 영향을 받는건 프론트엔드와 미들엔드쪽이니깐요......

결국 첫단추를 잘못끼우고

그 잘못끼운 첫단추 베이스의 공정을 토대로 신규 공정을 내니깐

폐해가 이어진듯합니다.

신규 로드맵에서 4LPE/4LPP는 더이상 7LPP 베이스는 아닌 신규 라인으로 보이는지라

개선 여지는 있지만

스냅드래곤895에 적용될 공정까지는 잘 몰르겠습니다...

스냅드래곤895에 적용된 5LPP 공정이 아마 삼성파운드리 로드맵이 바뀌기전의

7LPP 베이스의 4LPE이고 로드맵이 개편되면서 5LPP가 된듯한데

루머대로라면 퀄콤은 이걸 4나노(4LPX?)로 마케팅할 생각으로 보입니다.

7LPP 베이스니깐 이놈까지는 시원치않을 가능성이 있습니다....