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미니 삼성파운드리 3GAA 관련된것을 정리해보자면
- 흡혈귀왕
- 조회 수 1937
- 2021.10.03. 21:25
일단 최초 발표때는 7LPP 대비
성능 30%
소비전력 50%
면적 45%
개선이라고 했습니다.
문제는 논란이 되었던것이
바로 요 수치입니다.
MBCFET 도입시 7나노 대비
성능 10%
소비전력 20%
면적 25%
개선이다라는게 삼성 공식 홈페이지에 소개됬습니다.
문제는 저 수치가 삼성파운드리의 오피셜
7LPP -> 5LPE 향상치라서 말이 많았습니다.
그래서 저 수치가 7LPP -> 3GAE 수치가 아닌
7LPP에 MBCFET 도입시 향상치네 아니네 말이 많았죠....
어쨋든 공식 로드맵에서 3GAE는 삭제됬습니다.
아마 3GAE는 S.LSI만 쓰는 과도기 3나노 MBCFET 공정일것으로 보이는데....
일단 3GAP 공정의 경우
4LPE/4LPP 이후
Pitch Scaling New TRArchitecure
라고 표시하는거 보면
3GAP는 풀노드급 개선 MBCFET 도입말고도 물리적인
면적개선이 있다라는 소리가됩니다.
대충 정리해보면
3GAE = 과도기 3나노 MBCFET공정으로 4LPP 백엔드 베이스일것으로 추정, S.LSI 차차기 엑시노스 한정으로 사용?
3GAP = 4LPE/4LPP 이후 풀노드 개선된 진정한 3나노 MBCFET 공정으로 대형 고객사를 타겟으로한 범용 공정
정도로 정리될것으로 보입니다.
제대로된 PPA는
10월에 있을 파운드리 포럼을 봐야할것으로 보이네요.
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퀄콤빠, AMD빠, 테그라빠
댓글
막줄 2줄만 읽으면 됩니다.
삼파는 계속 수치 반영을 해서 수정하는지라 골 아프죠