https://n.news.naver.com/article/138/0002113597

삼성전자는 지난달 ‘파운드리 포럼’을 통해 2022년 상반기 3nm 공정을 개시한다고 밝혔다. 당초 로드맵보다 최대 반년 이상 앞당긴 시점이다.

업계 처음으로 GAA(Gate-All-Around) 기술도 적용한다. GAA는 트랜지스터의 게이트와 채널이 닿는 면을 4개로 늘린 방식이다. 기존 핀펫(FinFET) 구조보다 1면을 늘려 전력 효율을 높였다. 삼성전자는 채널을 와이어 형태에서 얇고 긴 모양의 나노시트로 대체한 MBC(Multi Bridge Channel)라는 GAA 브랜드를 갖추고 있다. FinFET 기반 5nm 대비 ▲성능 30%↑ ▲전력소모 50%↓ ▲면적 35%↓ 등 효과가 기대된다.

드디어 "반도체 종결자"가 나오는 모양이네요

그런데 시기가 22년 상반기네요?

잘하면 S22 FE부터 3nm 투입할지도 모르겠네요 ㄷㄷㄷ