미니 TSMC, 사실상 핀펫 공정 한계에 도달

Section31
조회 수 1559
2023.03.06. 19:45

요약)

1) TSMC의 3nm 공정은,

- 핀 높이, 게이트 길이 및 트랜지스터(단일 핀)당 핀 수에 대한 제한에 도달했기 때문에,

- 점진적인 개선만을 제공했다.

2) 확산 단 차단(Single diffusion break), 활성 게이트를 통한 접촉 및 FinFlex와 같은 기능을 구현한 후에는,

FinFET 기반 공정 기술을 개선할 여지가 더 이상 남지 않을 것이다.

[Mobile]
Galaxy Note9 512GB
- 이후 플랜: UNKNOWN

[Tablet]
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- 이후 플랜: iPad Air 6? 또는 mini 7?

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Dell XPS 13 9370 (이전) → (Galaxy Book3 (with ARC))
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		8
								
1등								Daylight																				
									2023.11.01. 23:39									

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글쓴이Section31
										 Daylight 님께
				
									2023.03.06. 19:47									
문제는 인텔도 3nm 공정에 핀펫 도입(...)

					 2
									
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2등aleji
									2023.03.06. 19:54									
가짜 3나노의 최후네요 ㄷㄷ

					 2
									
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best3등루즈
									2023.03.06. 19:55									
제발 삼성 ㅜㅠ 3나노 gaa, gap 공정 먼저 도입한 만큼 치고나가야 된다....

					 12
									
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글쓴이Section31
										 루즈 님께
				
									2023.03.06. 19:58									
3GAE는 그나마 괜찮다고 하는데(이건 범용칩 제조라기보단 ASIC 제조라서), 3GAP가 관건이죠.

					 1
									
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Butzed
									2023.03.06. 21:33									
N3E도 SRAM 면적 줄이는게 힘들군요 ㄷㄷ

					 1
									
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bestgamma
									2023.03.06. 21:40									
면적 줄이려면 핀 폭이 줄어야되고 전류량 유지하려면 핀 높이를 높이거나 개수를 늘려야되는데
높이는 한계가 너무하다싶을 정도로 심하게 걸려있고 개수 늘리면 면적 못 줄이지요.

					 4
									
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하루옹
									2023.03.07. 07:00									
삼성이 먼저 GAA 도입했으니 관련 특허도 가지고 있을테니
TSMC쪽에서 어떻게 특허를 우회해서 만들지가 향후 경쟁의 관건이겠네요...

					 1
									
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