근데 euv매를 먼저맞았을때는 개판이었으니까요....

물론 10nm은 오래갈것이라고 느긋하게 로드맵 짠 문제도 있었지만요

9825는 괜찮았죠. 계획상 늦으면 차근차근 준비했어야하는데 5나노부터 너무 급했죠

7lpe는 사실 부랴부랴 준비한 공정입니다. lpp는 말할것도 없고요...

7나노를 tsmc대비 늦은거 인정하고 계획대로 했으면 이사단은 안났을겁니다

너무 급했습니다

뭐 결과론적이지만 10LPP에서 8LPP로 가자할 때 7을 어떻게든 했어야 했어요... EUV 스루풋이 안나오니 일정 각은 안나오고... 경쟁사도 못할거야 기우제 한게 문제였죠.

tsmc가 그렇게 빠르게 넘어갈거라고 생각을 못한거 같습니다. 

arfi로 7nm을 할거라고 예측을 못해서 느긋하게 잡았던건지....

T도 분기 실적 발표때마다 우리는 EUV 안하고 그냥 ArF (7FF)로 먼저 간다고, 그 다음해에 7FFP 하면서 7FF+(EUV) 듀얼로 할거라고 계속 얘기했었지요 사실... 위에서 언급하신대로 느긋하게 대응했던게 패착이라고 봅니다.
T는 하이실리콘처럼 초기에 공격적으로 EUV 볼륨 캐리 해주던 고객 덕도 있었겠네요. 

밀도는 다음과 같습니다.

단위: mm²당 MTr (MTr = 트랜지스터 100만개)

- 3GAE(SF3E) / MBCFET : 150

- 3GAP(SF3) / MBCFET : 195 (3GAE 대비 +30%)

- N3E / FinFET : 180

- N3 / FinFET : 220

- 2GAP/N2/N2P/N2X : 모두 불명

혹시 외부에 공개된 3GAP+ 타겟도 있을까요? (엑시노스 기준 2600 공정) 

삼성전자 발표 공식 로드맵상엔 3GAP+(SF3P)가 있긴 한데 세부사항은 여전히 불명...이네요. ;;;

아직 SF3P에 대해선 밝혀진게 없습니다. 아마 올해 하반기는 되어야 찌라시라도 흘러나올거에요

밀도는 밑에분이 정리해주셨네요. 사실 제가 밀도쪽은 큰 관심이 없어서요....

그건 기업에서 중요시 여기는 부분이고 소비자들은 퍼포먼스랑 소비전력 위주로 신경쓸 수 밖에 없죠

아 옙 저는 비즈니스 하는 사람이라... ^^;; 글 재밌게 보고 있습니다. 감사합니다. 

감사합니다. 밀도는 다른분들이 정리해서 올려주실거에요.... 아마도요? 

어느정도 목표가에 도움이 될 소식이죠 ㅋㅋㅋ