삼성전자는 10년 가까이 핀펫 기반 노드에 머물렀던 반도체 파운드리 업계에서 처음으로 GAA-FET 기술을 적용한 3나노 반도체 노드를 수주하기 위해 TSMC와 치열한 경쟁을 벌이고 있습니다. 3나노 GAA-FET 노드인 SF3는 올해 말 양산에 들어갑니다. 삼성은 이 노드의 개발 단계에서 60~70% 범위의 웨이퍼 수율을 달성했다고 주장하고 있습니다. 이 수치는 고객들이 웨이퍼 주문을 할 때 수율을 최우선으로 고려하고 그다음으로 웨이퍼당 비용을 고려하기 때문에 고객을 유치하는 데 매우 중요합니다.

삼성은 2022년 고객사로부터 사업을 따내기 위해 수율을 '조작'했다는 논란 이후 칩 설계자들 사이에서 신뢰를 회복하기 위해 노력하고 있습니다. 삼성은 또한 2023~2024년에는 3나노급 노드, 즉 SF3(3GAP)와 그 개량형인 SF3P(3GAP+)가 주를 이루고, 2025~2026년에는 2나노급 노드를 도입할 예정이라고 밝혔습니다. 현재 삼성의 3나노 노드 고객으로는 익명의 HPC 프로세서 설계업체와 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) 설계업체가 있습니다.

삼파 화이팅