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맞는말만함

미니 GAA는 원리가 뭔지 잘 모르겠네요ㅠ

203973_44887_159.png

 

현재 전자공 학부생인데요..

Planar FET 현재 열심히 배우고 있고요.. finFET은 구조상으로 볼때 planer 확장판? 느낌이라

어느정도 작동원리가 짐작가는데요, GAA는 진짜 어렵네요;

gate전압을 조절해서 저 가운데 채널을 컨트롤한다?

흠.. 학부생의 지식으로는 넘나 이해하기 어렵습니다ㅜㅠ

 

그리고 채널길이가 짧을수록 on current가 커져서, 스위치간의 작동시간이 줄어들어서 유리하다고 배웠는데

삼성에서 nanowire을 활용한 GAA말고, 채널길이가 더 긴 MBCFET 형태로 가는지도.. 많이 어렵네요

맞는말만함
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댓글
27
Aimer
best 1등 Aimer
2023.05.08. 23:38

선생님 학부생 신분에 벌써 그걸 이해하시면 교수님들에게 납치 당하십니다.

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Section31
Section31 Aimer 님께
2023.05.08. 23:48

(튀어~~!!!!!)

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맞는말만함
글쓴이
맞는말만함 Aimer 님께
2023.05.08. 23:59

ㅌㅌㅌㅌ 도망가겠습니다

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gamma
gamma 맞는말만함 님께
2023.05.09. 00:09

사실 그 정도로 납치 안 해갑니다.

반도체 업체도 직군따라서는 저거 모르면 입사 못 하고요.

반도체 만드는건 저거 몰라도 할 수 있습니다만...

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맞는말만함
글쓴이
맞는말만함 gamma 님께
2023.05.09. 00:12

넵ㅠ 고학년부터는 당연히 알아야되는 내용인것 맞구요, 그냥 댓글 재밌게 다셨길래 저도 농담삼아 달아봤습니다. 현실은 학점도 간당간당하고 진로도 아직 못정해서.. 많이 멀었네여

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gamma
gamma 맞는말만함 님께
2023.05.09. 00:19

한 때 걍 제발로 들어갈까 고민했었는데 ㅋㅋ

현업와서 학력이 깡패인거 실감하고 후회했었지요.

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Section31
2등 Section31
2023.05.08. 23:45

위의 그림에서, 보라색 상자모양의 것이 게이트이고, 밝은 회색의 것이 채널입니다.

게이트를 제어할 때, 채널이 게이트에 닿는 표면적이 넓으면 넓을수록 좋습니다.

 

그런데 핀펫의 경우 채널 간격이 너무 좁아지게 되면, 양자역학적 효과로 인해

채널을 통해 흘러가야 할 전자들이 바깥으로 빠져버리게 됩니다. 누설전류가 급증하는 것이죠.

그래서 핀펫 공정의 물리학적 한계가 흔히들 4nm로 알려져 있습니다.

 

결국 누설전류를 줄이고 전력소모를 효율적으로 하기 위해서는 채널이

게이트의 네 면과 맞닿아야 합니다. 핀펫은 게이트의 세 면과 맞닿습니다.

GAA는 채널이 게이트의 네 면과 맞닿기 때문에 붙여진 이름입니다.

말 그대로 게이트-올-어라운드(Gate All Around)이지요.

 

여기서 각 채널의 단면적을 넓히면, 삼성에서 개발한 MBCFET이 됩니다.

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맞는말만함
글쓴이
맞는말만함 Section31 님께
2023.05.08. 23:59

답변감사합니다!

채널-게이트 닿는 면적이 클수록, 더 좋은 특성을 가지고, 또 gaa가 4면이 맞닿아서 효율이 좋은 부분은 알것 같습니다. 그런데 '채널 길이 L이 짧을수록 oncurrent가 늘어나서, 더 좋은 특성을 가진다. 그리고 모빌리티가 증가하여, 스위치 속도가 빨라진다' 라는 내용을 현재 학습중인데, nanowire을 활용한 GAA보다 MBCFET는 채널길이가 오히려 더 길지않나요? 이부분이 아직도 의문이라서 질문드려봤습니다! 감사합니다.

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gamma
gamma 맞는말만함 님께
2023.05.09. 00:16

채널 길이와 on current관계는 planar에서 얘기고 채널이 핀펫 3차원으로 가면서 소스 드레인 간에 형성되는 채널 단면적이 핵심입니다.

planar에서 사실 마찬가지인데 채널 길이만 따진건 그게 사실상 유효단면적을 결정해서 그런거고요.

(inversion layer가 사각형이 아니라 삼각형처럼 형성되는 그 도식.)

단면적당 전류량의 한계는 정해져있고 소자 성능 올리려면=on current 늘리려면 단면적을 늘려야됩니다.

그래서 핀펫은 핀 높이를 올리고 핀 개수를 늘려서 총 단면적을 늘리고

gaa는 채널 단면적을 늘리고 개수를 늘려서 총 단면적을 늘립니다.

물론 그에 따라 수율 면적에서 손해를 보니 적절히 트레이드 오프해서 설계하고요.

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맞는말만함
글쓴이
맞는말만함 gamma 님께
2023.05.09. 03:27

결국 3차원 구조 FET에서는 단면적이 핵심이라는 것이군요! 선생님 답변 덕분에 조금(?)은 알것같습니다. 늦은시간 답변 감사드립니다.

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gamma
best 3등 gamma
2023.05.08. 23:43

폰이라 간단히 쓰면...

 

모스펫 기능의 핵심은 채널영역을 컨트롤(온, 오프)하는거고 그걸 통해 얼마나 정확하게 전류량이 컨트롤되느냐입니다.

채널 컨트롤하는게 게이트고요.

planar에서는 게이트하고 접한 면이 1개지요.

그러니 채널 짧아질수록 sce로 컨트롤에 한계가 오니 채널을 핀형태로 한겁니다.

그렇게해서 게이트하고 채널 접한 면이 3면이 됐고 채널에 대한 게이트의 영향력이 강해진겁니다.

gaa로 가면 아예 게이트가 채널 4면을 둘러쳐서 더 영향력을 강화한거고요.

 

기본 원리는 이렇고 전류량 컨트롤은 핀 높이나 개수, gaa에서는 채널 단면적, 개수로 조절하는데 이건 딸려오는 내용이라 기본만 파악하면 이해하기 쉬울겁니다.

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맞는말만함
글쓴이
맞는말만함 gamma 님께
2023.05.08. 23:55

우선 답변 감사드립니다 선생님.

'영향력이 강화된다'는 의미는 어느정도 짐작가는것같습니다.

finfet에서 gaa로 갈수록, gate와 채널이 닿는 면적이 늘어나는것도 직곽적으로 알것은 같은데요,

MOSFET 기초원리로, gate와 body간의 전위차로, inversion carrier을 발생시켜서 on/off하는 원리정도만 알고있는데, finFET은 gate전압을 조절하여 중간 3면이 맞닿은 채널에 inversion carrier이 쉽게 발생할 것이라는 상상이 가능하지만, gaa는 중간 채널이 nanowire/sheet 형태로 되어있어  inversion 상태로 가려면 majority carrier이 어디론가 이동? 밀려나야 될 곳이 있어야 될것 같으나 substrate 기판과 떨어져 있어서 채널이 on 상태가 된다는게 상상이 잘 안되서 그렇습니다. 질문을 잘 했었어야 되는데 이렇게 댓글로 길게 써보네요ㅜ 

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gamma
gamma 맞는말만함 님께
2023.05.09. 00:07

gaa라도 단면으로보면 고립된거처럼 보이지만 소스, 드레인하고 연결돼있고 소스 드레인 전체가 도핑상태가 아니라서 그 쪽에서 전하 유입이 가능한걸로 생각되네요.

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ㅂㅈㄷㄱㅅㅇ
ㅂㅈㄷㄱㅅㅇ
2023.05.09. 00:21

챗지피티에 선생님 글 넣어보니깐 

 

Planar FET와 FinFET은 구조상 차이가 있습니다. Planar FET는 평면 구조이며, Gate의 층이 FET의 채널과 수직으로 위치합니다. 반면 FinFET은 3차원 구조로, 채널이 기판에서 수직으로 돌출된 피니(SOI) 구조에서 제작됩니다. FinFET은 planar FET보다 더 높은 성능을 제공하며, 더 많은 칩을 담을 수 있는 밀도 높은 집적 회로(IC)를 만들 수 있습니다.

GAA는 Gate-All-Around FET의 약어로, 전체적으로 Gate를 감싸는 형태의 FET입니다. 채널을 Gate로 둘러싸고, 그 Gate를 전압을 통해 컨트롤합니다. 이러한 구조는 Planar FET나 FinFET과 달리 채널의 두께와 모양, 위치 등이 변화하더라도 전압을 통해 컨트롤이 가능하여 더 높은 성능을 제공합니다.

MBCFET은 Multi-Bridge Channel FET의 약어로, 채널이 다리 형태로 연결된 FET입니다. 이 구조는 채널 길이를 길게 만들 수 있어서 더 높은 전류를 처리할 수 있습니다.

채널 길이가 짧을수록 On current가 커지는 이유는 채널 길이가 짧을수록 FET의 저항이 작아지기 때문입니다. 이는 FET의 속도를 높이고, 작동 속도를 빠르게 만듭니다. 하지만 채널 길이가 너무 짧으면 다른 문제가 발생할 수 있으므로 최적의 채널 길이를 찾는 것이 중요합니다.

 

이렇게 나오는데요 맞는말인가요?

[ㅂㅈㄷㄱㅅㅇ]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
맞는말만함
글쓴이
맞는말만함 ㅂㅈㄷㄱㅅㅇ 님께
2023.05.09. 03:29

자세히는 모르겠지만 어느정도 맞는 답변같네요ㅋㅋ 챗gpt 괜찮은데요?

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SirsubK
SirsubK
2023.05.09. 00:28

정말 극단적으로 단순하게 설명하면

I = 1/2 * u * Cox * W/L * Vod^2 에서

원래는 L을 줄여서 I 를 늘렸는데, 그게 안되니까 W를 늘리기 위한것입니다. 첫 시도가 Fin인것이고 그다음은 GAA인것이죠.

[SirsubK]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
맞는말만함
글쓴이
맞는말만함 SirsubK 님께
2023.05.09. 03:23

네 답변 감사드립니다.

포화전류를 크게하는 방법중에 1. L을 작게 2.W를 늘린다 이렇게 두가지 방법을 공부했는데,

W를 크게하면 소자사이즈가 커진다는 점과 내부 커패시턴스의 증가로 시정수가 증가해서 스위치시간이 늘어난다는 단점이 있어서 바람직하지 못하다고 배웠거든요. 이런 단점들도 다 극복했나 보군요;; 대단하네요

[맞는말만함]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
SirsubK
SirsubK 맞는말만함 님께
2023.05.09. 09:21

Device size라는건 결국 위에서 바라봤을 때 하나의 TR당 크기인데, Fin이나 GAA처럼 3D 구조로 올리면 W를 늘려도 TR사이즈가 늘어나지 않겠죠.. 

[SirsubK]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
범퀴
범퀴
2023.05.09. 00:34

부록? 에 i7 9400f라 오타나신 것 같아요

[범퀴]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
맞는말만함
글쓴이
맞는말만함 범퀴 님께
2023.05.09. 03:23

앗 감사합니다 오타네요

[맞는말만함]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
포인트봇
포인트봇 맞는말만함 님께
2023.05.09. 03:23
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ktky12
ktky12
2023.05.09. 08:04

MBCFET의 나노시트는 나노와이어와 채널 length는 같고 width가 커진형태로 저항이 감소합니다. 전류가 더 잘흐르는 형태지요.

[ktky12]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
맞는말만함
글쓴이
맞는말만함 ktky12 님께
2023.05.09. 08:14

아 plannar FET 와 W, L 방향이 반대인가요? 그냥 홍보사진으로 볼때는 length가 커진 형태인줄 알았는데 아니었군요

[맞는말만함]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
ktky12
ktky12 맞는말만함 님께
2023.05.09. 08:52

이게 그림만 보면 해깔리는데.. planar던 finfet이던 GAA던 Drain과 source 사이를 채널길이로만 생각하시면 됩니다.

[ktky12]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
주주총회
주주총회
2023.05.09. 08:46

와 미코분들 전문성 ㄷㄷ 이네요 ㅋㅋ

[주주총회]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
오꾸리
오꾸리
2023.05.09. 09:49

유튭에 자세히 설명된 영상이 많으니 찾아보세요.

글로만 이해하려고 하는것보다 영상을 보면서 이해하는게 훨씬 빠릅니다.

그리고 저것만 보면 뭔가 이상해보일텐데 Planar FET은 Gate 아래쪽에 source와 Drain이 위치하지만 Fin FET이나 GAA FET 는 Gate 옆으로 source와 Drain이 위치하게 됩니다.

source와 Drain 의 위치를 기존 Planar FET 처럼 아래쪽에 위치한다고 생각해서 뭔가 답이 안나오는 상황이지 않나 싶군요...

[오꾸리]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
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