삼성전자가 차세대 메모리 반도체 M램 시대를 열었다. 올해 안으로 1기가비트(Gb) 내장형 M램(eM램) 테스트칩을 생산하는 등 내장형 메모리 솔루션을 확대할 계획이다.6일 삼성전자는 28나노 완전 공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI) 공정으로 만든 eM램을 출하했다고 밝혔다. 시스템온칩(SoC)에 내장됐다. 기존에 사용되던 노어(NOR)플래시와 비교해 쓰기 속도가 1000배 더 빠르고 전력소비량이 낮다. 가격도 저렴하게 공급할 수 있다는 게 회사 측의 설명이다.FD-SOI는 삼성전자가 중보급형 반도체 위탁생산(파운드리)에 활


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