이 기술은 종이(100㎛)의 절반 이하 두께로 가공한 D램 칩 12개를 적층해 수직으로 연결하는 기술. 

3D-TSV는 기존 와이어 본딩(Wire Bonding) 기술보다 칩들 간 신호를 주고받는 시간이 짧아져 속도와 소비전력을 획기적으로 개선.

삼성전자는 기존 8단 적층 HBM2 제품과 동일한 패키지 두께(720㎛, 업계 표준)를 유지하면서 12개의 D램 칩을 적층, 별도의 시스템 디자인 변경 없이 보다 높은 성능의 차세대 고용량 제품을 출시가능.

고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory, HBM) 에 12단 3D-TSV 기술을 적용해 기존 8단에서 12단으로 높임으로써 용량도 1.5배 증가 가능. 이 기술에 최신 16Gb D램 칩을 적용하면 업계 최대 용량인 24GB HBM 제품도 구현.