삼성전자가 1기가비트(Gb) 대용량 임베디드 M램(eM램)을 개발했다. 기존에 사용되던 임베디드 플래시메모리(e플래시)를 빠르게 대체할 것으로 보인다.일본 IT 전문매체 와치임프레스 보도에 따르면 삼성전자는 9일(현지시간) 미국 캘리포니아에서 열린 'IEDM 2019' 학회에서 이 같은 성과를 알렸다. 기술은 28나노 완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI) 공정을 활용했다. 8메가비트(Mb) M램 128개를 한 다이에 밀집시켰다. 올해 3월 양산을 시작한 8Mb eM램보다 128배 큰 용량이다. 테스트칩 수율은


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