소식 바이든도 감탄한 삼성 'GAA'…무엇이 다를까
- aleji
- 조회 수 1289
- 2022.05.24. 23:11
바이든 미국 대통령이 취임 후 첫 아시아 방문지로 한국, 그중에서도 삼성전자의 경기 평택캠퍼스를 찾았다.
삼성전자 관계자는 "단면 지름이 1나노미터 정도로 얇은 와이어 형태의 채널은 충분한 전류를 얻기 힘든데, GAA 구조의 트랜지터스는 종이처럼 얇고 긴 나노를 여러 장 적층하는 방식으로 반도체 성능과 전력 효율을 높인다"며 "이것이 삼성전자의 독자 기술인 MBCFET™로, 나노시트 너비도 조절이 가능해 높은 설계적 유연성을 지녔다"고 설명했다.
삼성전자에 따르면 GAA 구조 트랜지스터는 5나노 핀펫 트랜지스터 대비 공간은 35%, 소비전력은 약 50% 절감할 수 있고 성능은 약 30% 개선할 수 있다.
조금 더 알아보기
· 파운드리 선두 TSMC도 3나노 공정을 계획하고 있습니다. 다만 삼성전자와 적용 기술이 다른데요. TSMC는 핀펫(FinFET) 방식을 활용합니다.
· 삼성전자가 적용할 GAA는 이론 상 핀펫보다 앞선 기술로 평가받습니다. 일부 언론에서 GAA를 '게임체인저'라고 부르는 이유인데요. 두 기술의 차이는 '트랜지스터 구조'에 있습니다. 트랜지스터는 전류 흐름을 조절하는 반도체 주요 소자를 의미합니다.
· 트랜지스터는 게이트와 채널 간 접점이 클수록 효율이 높아집니다. 핀펫은 게이트와 채널이 3면에서 맞닿습니다. 3차원 구조죠. 반면 GAA는 4면에서 맞닿습니다. 4차원 구조죠. 이론 상 GAA가 핀펫보다 효율성이 뛰어난 이유입니다.
댓글
다른의미로 감탄했을수도..?