https://n.news.naver.com/mnews/article/001/0013331496?sid=105

삼성전자는 25일 경기도 화성캠퍼스 내 극자외선 전용 V1 라인에서 차세대 트랜지스터 GAA 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다.

행사에 참석한 반도체 장비업체 원익IPS의 이현덕 대표이사는 "삼성전자와 함께 3나노 GAA 파운드리 공정 양산을 준비하면서 우리 회사 임직원의 역량도 한층 더 강화됐다"고 전했고, 국내 팹리스 업체 텔레칩스의 이장규 대표이사는 "삼성전자의 초미세 공정을 활용한 미래 제품 설계에 대한 기대감이 크다"고 말했다.

삼성전자는 화성캠퍼스에 이어 향후 평택 캠퍼스까지 3나노 GAA 파운드리 공정 제품의 양산을 확대해 나갈 예정이다.