삼성전자가 업계 최선단인 12나노급 공정(5세대)으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다. 삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높이고, 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 공정을 완성했다.또 멀티레이어 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.DDR5 규격의


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