다만 삼성전자는 인위적 감산 조치에도 메모리 및 파운드리 선단(Advanced) 공정 투자는 지속할 계획이다. 우선 삼성전자는 DDR5, LPDDR5X 등 차세대 D램 선단 공정 전환을 가속화하고 고대역폭 메모리(HBM) 수요 증가에 대응할 방침이다.

서병훈 부사장은 “일부 생산라인에서 감산이 이뤄지고 있지만, 캐펙스(CAPEX, 자본적 지출로 통상 전기전자 업계에서는 설비 투자를 의미함) 투자는 전년 수준으로 집행하고 있다”며 “평택 3, 4기 라인 위주로 인프라 투자를 지속해 중장기 수요 성장세에 대응하겠다”고 밝혔다. 평택 3, 4기 공장에는 D램, 낸드플래시, 파운드리 생산라인이 모두 배치돼 있다.