삼성전자가 4F스퀘어 D램 메모리 셀 단위 구조 개발에 나선다. 

성공한다면 노드 변경 없이도 기존 6F스퀘어급 대비 칩 다이(Die) 면적을 30% 안팎으로 줄일 수 있는 것으로 전해졌다. 4F스퀘어는 10여년 전에도 D램 업계가 상용화를 시도하다 실패로 끝난 셀 구조 기술이다. 공정 난제가 상당히 많은 것으로 전해졌다.

24일 복수 관계자에 따르면 삼성전자는 최근 4F스퀘어 셀 구조 D램 양산화를 위해 반도체연구소 내 개발팀을 꾸렸다. 삼성전자는 D램 각 요소를 위로 쌓아올리는 3D 방식 보다 4F스퀘어 구조를 개발하는 것이 더 현실적이라는 판단을 내린 것으로 알려졌다. 현재 기술로는 선폭 축소 한계에 직면할 것으로 보이는 10나노 이하 D램 공정에서 4F스퀘어를 적용한다는 목표를 정했다.