DRAM을 발명한 전기 및 컴퓨터 공학의 선구자 로버트 히스 데나드가 지난 4월 23일 세상을 떠난 사실이 알려졌습니다.

로버트 히스 데나드는 IBM 재직 당시 디램(DRAM)을 개발, 현재의 컴퓨터와 스마트폰 등 여러 전자 제품의 발전에 지대한 공헌을 한 인물입니다. 또 무어의 법칙을 기반으로한 "데나드 스케일링" 이론을 창시하기도 했습니다.

데나드는 카네기 공과대학에서 전기공학 박사 학위를 취득한 후. IBM 연구원으로 평생을 일했습니다.

데나드가 IBM에 취직한 1958년 당시, 집적 회로는 텍사스 인스트루먼트 엔지니어에 의해 막 시연된 새로운 분야였습니다. 업계의 주요 관심사는 컴퓨터 메모리와 로직의 발전이었으며, 데나드는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 설계와 응용 분야를 연구했습니다.

데나드와 IBM 마이크로전자공학 전문가 팀은 기존 자기 코어 RAM의 크기와 전력 요구치에 아쉬움을 느꼈습니다. 그리고 1964년 1비트 정보를 저장하는 데 6개의 MOS 트랜지스터만 필요한 대체 시스템을 개발했습니다. 하지만 이 설계조차도 너무 복잡하고 느리다고 생각했습니다.

그러던 중 데나드는 트랜지스터 6개가 아닌 하나의 트랜지스터에 정보를 저장할 수 있는 방법을 연구했고, 이는 결국 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)의 발명으로 이어졌습니다.

이어 1972년, 데너드는 컴퓨터와 기타 전자 기기가 매년 더 작고, 더 빠르고, 더 효율적으로 발전하는 데 도움이 되는 이론도 제시했습니다. 이 이론은 데나드 스케일링 이론으로 불리고 있습니다.

데나드 스케일링은 "각 와트의 성능은 거의 같은 속도로 증가하며, 이에 따라 트랜지스터의 크기가 작아질수록 전력 소모량도 줄어든다"는 내용입니다.

데나드는 1979년에 IBM 펠로우로 선정됐고, 1988년에는 로널드 레이건 대통령으로부터 미국 국가 기술 훈장을 받았습니다. 1997년에는 미국 국립 발명가 명예의 전당에 헌액되었으며 2009년에는 IEEE 명예 훈장을 수상했습니다.

2019년 반도체 산업협회는 데나드에게 로버트 N. 노이스 상을 수여하기도 했습니다.

데너드를 기리는 추모식이 6월 7일 오후 1시(미 동부시간 기준) 뉴욕 요크타운 하이츠에서 열릴 예정이라고 합니다.