삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부가 차세대 반도체 공정 2나노 시장에서 역전을 노린다. 대만 TSMC가 현재 최첨단인 3나노 공정에서 앞서 나가는 가운데, 삼성전자는 2나노 공정에서 'GAA(Gate-All-Around)' 기술을 적용해 고객을 확보한다는 계획이다.

.

.

.

삼성전자가 2나노 공정의 핵심 기술로 내세운 GAA는 기존 FinFET 대비 트랜지스터 성능을 대폭 개선한 구조다. FinFET은 핀(Fin) 모양의 채널에 게이트를 세 면으로 감싸는 반면, GAA는 나노 와이어 형태의 채널을 게이트가 둘러싸는 형태로 채널을 360도 감싸게 된다. 이를 통해 게이트의 채널 제어력을 높여 누설전류를 최소화하고 트랜지스터 성능을 개선할 수 있다고 회사 측은 설명했다.