AI 반도체 수요 증가로 고대역폭메모리(HBM) 생산량이 증가하면서 필수 반도체 공정 중 하나인 화학기계적연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 단계에 대한 중요성이 커지고 있다.

향후 HBM 선단 공정에 CMP 공정 내 쓰이는 연마제인 슬러리 수요가 대폭 증가할 것으로 예상되는 가운데, 국내 기업들이  슬러리 국산화에 속도를 내고 있어 주목된다.

CMP 공정은 웨이퍼 박막 표면을 연마해 단차를 제거하는 평탄화 작업이다. 반도체 전공정에서 포토, 식각, 이온주입, 증착 등 웨이퍼 위에 반복되는 작업으로 표면은 결점이 생긴다. 이때 발생하는 오염물질이나 웨이퍼 굴곡 등을 제거해 수율 저하를 막는다.