극자외선(EUV) 노광 공정은 7나노 이하 초미세 반도체 생산을 위해 반드시 필요한 기술이다. EUV는 빛 파장이 13.5나노미터(㎚)로 현재 첨단 반도체 양산 라인에서 쓰이는 불화아르곤(ArF) 액침 장비(193㎚)보다 짧다. 빛 파장이 짧으면 더 미세하게 회로 패턴을 새길 수 있다. 각 회로 레이어별로 여러 번 새길 패턴을 한 번에 새길 수 있다면 원가를 대폭 절감할 수 있다는 것이 EUV 생태계 관계자들이 주장하는 내용이다.그러나 EUV는 기존 노광 기술과 달리 빛을 여러 단계 반사해야 하고 진공 상태에서만 효율이 나오는 등


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