삼성전자가 차세대 D램 공정은 복잡성이 크게 줄어들 것이라고 발표했다. 극자외선(EUV) 기술 도입을 공식화했다. 공정 복잡도가 줄면 생산 시간이 짧아진다. 원가를 낮출 수 있다는 의미다.신경섭 삼성전자 반도체연구소 공정개발실 담당 연구위원(상무)은 26일 오전 서울 여의도 콘래드호텔에서 열린 ‘2019 인베스터 포럼’에서 “(4세대 10나노급인) 1a D램 공정에 극자외선(EUV) 노광 공정을 본격 적용할 계획”이라면서 “기존 불화아르곤(ArF) 이머전 장비 기술로 멀티패터닝(MPT:Multi Patterning Technique


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