연구팀은 전기화학방법으로 결정 방향에 변화를 줄 수 있는 금속 전구체를 활용하여 균일한 나노 입자의 분포를 갖는 비정질 산화물 박막 형성에 성공하였으며, 이러한 나노 입자가 내장된 비정질 산화막을 저항변화 메모리소자인 저항변화메모리소자(ReRAM)로 개발하여 메모리소자의 안정성과 신뢰성을 검증하였다. 이 과


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