정창욱 교수는 교신저자이고 한국외대 박사과정 중인 Raveendar학생이 제1저자이자 저항스위칭기억소자는 기존의 메모리인 DRAM, SRAM, FLASH에 비해서 집적화, 동작스피드, 비휘발성 등 여러 가지 면에서 매우 큰 장점을 가진 보편적 메모라(Universal memory)라고 기대되어왔다. 한국외대 연구팀이 세계최초로 저항스위칭


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