SK하이닉스는 초고속 D램인 'HBM2E'을 지난해 8월 개발한 이후 10개월 만에 본격적으로 양산한다고 2일 밝혔다.

SK하이닉스에 따르면 HBM2E는 초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터 처리가 가능하다. 정보출입구 1024개를 통해 1초에 460기가바이트(GB) 데이터를 처리한다. 이는 현존하는 가장 빠른 D램 솔루션으로, 풀HD급 영화(3.7GB) 124편을 1초에 전달할 수 있다고 회사는 소개했다.

용량은 8개의 16기가비트(Gb) D램 칩을 'TSV'(Through Silicon Via)라는 기술로 수직 연결해 이전 세대보다 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다.

TSV 기술은 D램 칩에 미세한 구멍 수천 개를 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 기술로, 전력 소모를 50% 이상 줄인다.

SK하이닉스는 "초고속·고용량·저전력 특성을 갖고 있어 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화한 메모리 솔루션"이라며 "기상변화, 우주탐사 등 차세대 기초·응용과학 연구를 주도할 슈퍼컴퓨터에도 채용할 수 있을 것으로 전망한다"고 밝혔다.

[참고]

■ HBM (High Bandwidth Memory,고대역폭 메모리)
-고대역폭 메모리로 TSV 기술을 활용해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품

■ TSV (Through Silicon Via)
- D램 칩(Chip)에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술
- 버퍼 칩 위에 여러 개의 D램 칩을 적층 한 뒤 전체 층을 관통하는 기둥형태의 이동 경로를 구성해 데이터, 명령어, 전류를 전달함
- 일반적으로 기존에 사용되던 패키지 방식들보다 크기는 30%
이상, 전력 소모는 50% 이상 줄어드는 효과 발생

■ 데이터 처리 속도 계산
- 1GB(기가바이트) = 8Gb(기가비트)
- HBM2E pin당 3.6Gbps x 1024개 정보입출구(I/O) = 3686.4Gbps
- 3686.4Gbps / 8 = 460.8GB/s (Gb -> GB 환산)

*보도자료 원문 대체