삼성 5LPE

7LPP 공정에서 백엔드 개선 하프노드,

7LPP 대비

- 성능 10% 향상

- 소비전력 20% 개선

- 면적 25% 감소

 

삼성 3GAE

5LPE 공정에서 풀노드 전환, 최초 MBCFET 도입,

5LPE 대비

- 성능 30% 향상

- 소비전력 50% 개선

- 면적 35% 감소

 

 

 

 

 

TSMC N5

N7 공정에서 풀노드 전환, 

N7 대비

- 성능 15% 향상

- 소비전력 30% 개선

- 면적 40% 감소

 

TSMC N3

N5 공정에서 백엔드 개선 하프노드,

N5 대비

- 성능 10~15% 향상

- 소비전력 20~25% 개선

- 면적 10% 감소(추정)

 

 

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5LPE의 경우 확실히 기존 7LPP에서 프론트엔드와 미들엔드는 최대한

건드리진 않고 백엔드만 건드려서 그런지 향상치가 그렇게 드라마틱하진 않습니다.

 

그래도 10LPP -> 8LPP 갈때보다는 훨씬 큰 상황이라

딱히 비관적으론 안봐도될듯합니다.

(8LPP는 10LPP 대비 성능 5%, 소비전력 10%, 면적 15% 개선)

 

 

 

 

특히나 7LPP가 N7 대비 5~8% 정도 셀 면적이 작은것도 고려하면

N5가 풀노드로 면적이 N7 대비 확 줄어들어서 그렇지 5LPE도 N7이랑 비교시엔

한 30%정도 면적이 줄어든셈입니다.

 

반대로 TSMC는 오히려 N3가 하프노드로

N5 대비 개선점이 작습니다.