TSMC N5 HD셀로 제조된

애플 A14의 경우 트랜지스터 밀도가 130MTr/mm2로 스탠다드셀 보다 밀도가 떨어지고

면적이 더 큽니다...

보통 반도체 특성상

칩 면적이 작아지고 트랜지스터 밀도가 높아지면 누설전류가 발생하는데

이 누설전력을 잡는게 바로 공정 기술력입니다.

일단 TSMC N5 공정이 생각보다 굉장히 공격적인

트랜지스터밀도를 갖고있는데....

뭔가 스탠다드셀 기준 고대로 썼을때 생각보다 발열이나 누설전류가 있는지라

스탠다드셀 보다 조금 트레이드오프해서 칩 면적과 밀도를 좀 희생했을수도 있을거같네요.

타사 7나노같은 10나노가 좋은게 아니라는건 이미 인텔이

보여준 사례가 있더랬죠 ㅡㅡㅋ

아무튼 이제 FinFET쪽은 슬슬 힘들어보이니

MECFET(삼성은 GAAFET으로 칭함)으로 넘어가는게 맞을듯하네요.