삼성전자가 자기저항메모리(M램) 적용 분야를 확대한다. M램은 자성체에 전류를 가해 발생한 전자회전을 활용, 저항 값 변화에 따라 데이터를 쓰고 읽는 비휘발성 메모리다.

삼성전자는 2019년부터 28나노 완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI) 공정 기반의 내장형 M램(임베디드 M램)을 소형 전자 제품 대상의 마이크로컨트롤러유닛(MCU), 시스템온칩(SoC)에 적용했다. NXP 등 고객사를 확보했다.


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