바로 애증의 7LPP 베이스가 아니라는 부분입니다..ㅡㅡa

 

삼성이 PPA수치 잘지키다가 갑자기 빠그러지기 시작했던게

바로 7LPP 부터였죠.

 

7LPP는 EUV도입하고 TSMC 1세대 ArFi 7나노인 N7 대비 무려 1년이나 늦게나왔음에도

(엑시노스9825에 적용된 7LPE는 8나노 베이스 EUV가 도입된 과도기 노드니깐 걍 예외로 치겠습니다)

 

성능이 정말 시원치않았습니다.

면적이 N7대비 5~8% 작은거빼면 성능이 N7 수준이었고

같은 시기나온 N7P, N7+에 확실히 밀리는 성능이었습니다.

 

그리고 그 시원치않은 성능은 7LPP 베이스에 백엔드 축소한 5LPE로 그대로 이어졌습니다.

 

 

뭔가 첫단추를 잘못끼워서 그런지 모르겠지만

 

 

어쨋든 개편된 4LPE/4LPP는 풀노드급 개선에 7LPP 베이스가 아니니깐

적어도 개선의 여지가 있을거같긴하네요.

 

 

 

문제는 5LPP입니다.

이게 아마 로드맵 개편되기전의 7LPP 베이스의 4LPE가 이름이 바뀐거같은데....

5LPP도 여전히 7LPP 베이스라면 약간 시원치 않을수도 있습니다..

 

퀄콤 스냅드래곤895 루머상 내년 출시때

삼성 5LPP를 사용하여 제조되고 4LPX로해서 4나노 마케팅하려고한다는데

 

3~4분기 스냅드래곤895+부턴 TSMC N4로 새로 제조할거다란 루머가돌고있습니다.

루머긴하지만 굳이 재설계까지하면서 퀄콤이 저짓을 한다면

 

이는 다르게 말하면 성능이든 공급물량이든 5LPP(4LPX)가 그닥 만족스럽지않은

상황이라서 그럴수도 있습니다.

 

 

퀄콤이 개편된 4LPE로 스냅드래곤895를 제조하려면 아마 퀄콤이

원하는 물량을 뽑아내긴 어려울것이고

4LPE는 엑시노스2200 한정으로 뽑는거겠죠....;(수율 생각하면 물량이 적은게 다행이려나;;;)

 

 

 

아무튼 뭐가됬든 퀄콤은 되게 아쉬운 입장이고 스냅드래곤888->스냅드래곤895 거치면서

성능이랑 수율이 아쉬운 상태면 TSMC 문을 두드리는 상황이 오긴올거같긴합니다...;;

 

 

 

3GAE는 아마 개편된 4LPP의 백엔드는 유지하고

프론트엔드랑 미들엔드 개선해서 MBCFET 도입하는 노드가 될것으로 생각됩니다.

즉 4LPP랑 3GAE는 로직밀도 차이는 있지만 셀 면적 차이는 없을수도 있습니다.

(어차피 MBCFET 도입 자체가 성능 개선이 목표이니 면적보다 성능과 소비전력 올인인듯하네요)