삼성전자 평택캠퍼스 P2 반도체 공장 전경. 삼성전자 제공.

삼성전자가 오는 2023년까지 3나노(나노미터·1㎚=10억분의 1ｍ) 게이트 올 어라운드(GAA) 기술을 적용한 반도체를 양산할 가능성이 떨어진다는 대만 매체의 전망이 나왔다.

20일 업계에 따르면 대만 시장조사업체 디지타임즈리서치의 에릭 첸 연구원은 지난 18일(현지시간) 삼성전자의 초미세공정 경쟁력을 분석한 보고서에서 "삼성전자가 2023년까지 3나노 GAA 공정을 대량 생산으로 전환할 가능성이 낮다"고 분석했다.

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