삼성전자가 8단 실리콘관통전극(TSV) 기술을 D램에 처음으로 적용한 512GB DDR5 메모리 기술을 반도체 학회 '핫칩스'에서 23일 발표했다. 

이번 DDR5 모듈은 최대 8개 다이를 TSV로 쌓고도 높이가 1mm에 불과하다. 얇은 웨이퍼 핸들링 기술을 통해 다이 사이의 간격을 40% 감소시킬 수 있었다. 

DDR5 모듈은 데이터센터의 서버 시장을 공략할 계획이다. 삼성전자 측은 첫 번째 512GB DDR5 모듈을 내년 말에 양산할 계획이라고 밝혔다. DDR5 메모리가 데이터센터에 본격 적용되는 시점은 2023년부터 이뤄질 전망이다. 




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