SK하이닉스는 현존하는 최고사양 D램 ‘HBM3’를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다. 지난해 7월 업계 최초로 3세대 HBM 제품인 ‘HBM2E’ D램 양산에 돌입한 바 있는 SK하이닉스는 4세대 제품인 HBM3 D램도 처음으로 개발해 경쟁사들보다 한발 앞서나가게 됐다.

SK하이닉스는 “이번 HBM3 제품을 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현했다”며 “품질 수준도 크게 높였다”고 강조했다.

신제품은 기존 HBM2E와 비교했을 때 처리 속도가 약 78% 개선돼 1초에 819GB(기가바이트) 규모의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 5GB 용량의 풀HD 영화 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

HBM3 제품은 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시될 예정이다. SK하이닉스에 따르면 24GB는 업계 최대 용량으로, 이 용량을 구현하기 위해 단품 D램 칩 12개를 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결했다.

TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 기술로, D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올린 게 특징인 HBM의 핵심기술이다.

HBM3 제품에 사용된 D램의 두께는 A4 용지 두께의 1/3인 30μm(마이크로미터·1μm=100만 분의 1m)에 불과하다는 게 SK하이닉스 측의 설명이다.

제품 신뢰성 측면에서 오류정정코드가 내장돼 D램 셀에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있다는 것도 HBM3의 특징이다.

업계는 HBM3 D램이 향후 고성능 데이터센터, AI 완성도를 높이는 머신러닝, 슈퍼컴퓨터 등에 탑재돼 활약할 것으로 기대하고 있다.