IBM과 삼성전자가 공동 연구를 통해 새로운 반도체 공정 기술을 개발했다. 기존 공정 대비 전류를 더 효율적으로 제어하는 '게이트-올-어라운드(Gate-All-Around : GAA)' 방식으로 칩 성능을 2배가량 끌어올릴 수 있는 기술이다.

IBM과 삼성전자는 15일 수직 트랜지스터 아키텍처를 활용한 신규 반도체 디자인 'VTFET'을 발표했다.

VTFET의 가장 큰 특징은 '수직 구조'다. 기존의 핀펫(FinFET) 구조는 트랜지스터를 반도체 표면에 수평으로 배치해 전류가 측면 또는 좌우로 흐를 수 있게 한다. 반면 VTFET은 트랜지스터를 반도체 표면에 수직으로 배치해 전류를 수직 또는 상하로 흐르게 만들었다. 이를 통해 동일한 칩 면적에서도 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있게 한다.