반도체 전공정 장비업체 유진테크가 10nm급 D램 공정을 위한 신규 장비 개발에 착수했다. 해당 장비는 D램 내 커패시터의 전극막을 형성하는 데 활용될 계획이다.

21일 업계에 따르면 유진테크는 지난해 말부터 TiN(티타늄나이트라이드) ALD(원자층증착) 장비를 개발하고 있다.

TiN은 티타늄과 질소가 결합된 소재다. 경도와 내식성이 높으며, 물체에 전류가 잘 흐르는 정도를 가늠하는 전기 전도성이 뛰어나다. 반도체 산업에서는 주로 전기 회로에서 전하를 저장하는 커패시터(축전기), 산화막과 구리(Cu)·알루미늄(Ti) 등 금속선 사이의 혼합을 막는 확산방지막(Metal Barrier) 등에 활용된다.

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