바이든 미국 대통령이 취임 후 첫 아시아 방문지로 한국, 그중에서도 삼성전자의 경기 평택캠퍼스를 찾았다.

삼성전자 관계자는 "단면 지름이 1나노미터 정도로 얇은 와이어 형태의 채널은 충분한 전류를 얻기 힘든데, GAA 구조의 트랜지터스는 종이처럼 얇고 긴 나노를 여러 장 적층하는 방식으로 반도체 성능과 전력 효율을 높인다"며 "이것이 삼성전자의 독자 기술인 MBCFET™로, 나노시트 너비도 조절이 가능해 높은 설계적 유연성을 지녔다"고 설명했다.

삼성전자에 따르면 GAA 구조 트랜지스터는 5나노 핀펫 트랜지스터 대비 공간은 35%, 소비전력은 약 50% 절감할 수 있고 성능은 약 30% 개선할 수 있다.

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