삼성전자는 2027년부터 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(Gate-All-Around, GAA)를 적용한 1.4나노미터 파운드리 공정을 상용화한다고 밝혀 화제를 모았다. GAA 기반 공정 기술 혁신을 통해 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 공정을 각각 도입한다는 계획이다. 

아울러 삼성전자는 SEDEX 2022에서 2나노 공정 전환 과정에서 BSPDN(Back Side Power Delivery Network)을 적극적으로 활용하겠다고 밝혔다. GAA나 MBCFET(Multi Bridge Channel)은 일부 소개된 적이 있지만 BSPDN은 전혀 알려지지 않은 만큼 어떤 기술인지 관심이 쏠린다.

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