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미니기기 / 음향 게시판 *스마트폰과 PC, 카메라, 스피커 등 IT 미니기기와 음향기기에 관해 교류하는 게시판입니다.

좌지우건

미니 삼성 파운드리 포럼 2022 일부내용

서울에서 진행한 삼성 파운드리 포럼 2022 코리아

행사의 블로그발(출처) 자료입니다.

 

20221020_EF_BC_BF142122.jpg

삼성의 특화공정 로드맵입니다.

CIS용 로직 공정이 17nm 핀펫 공정으로 넘어가는게 보이네요.

추가로 5nm까지 RF를 계획하고 있네요.

 

그런데 FD SOI 로드맵 상태가...???

원래 삼성은 18nm까지 FD SOI 계획이 있었던 것 같은데....

 

- 참고; 과거 18nm FD SOI 삼피셜

https://news.samsung.com/global/samsung-set-to-lead-the-future-of-foundry-with-comprehensive-process-roadmap-down-to-4nm

 

 

20221020_EF_BC_BF142629.jpg

3nm 2세대 SF3(3GAP) 내용입니다.

 

24년 양산이 다시한번 확인되었고

 

- 참고; 이전 3GAP 양산시점 언급

https://meeco.kr/mini/35696935

 

흥미로운 점은 SF4(4LPP) 대비 PPA Gain이 소개되었습니다.

 

그라고 UHD / HD / HP 3종류의 Cell이 제공됨을 확인 할 수 있습니다.

 

20221020_EF_BC_BF142821.jpg

SF1.4 및 그 이하 노드의 내용입니다.

SF1.4 에서 4스택 나노시트, BSPDN이 도입됨을 알 수 있습니다.

 

근데 과거에 4스택 나노시트는 분명 2GAP에 도입한다고 했는데.......

공정명을 바꾸면서 로드맵이 어떻게 뒤집어진건지 모르겠네요;;;;

 

- 참고; 이전 2GAP 삼피셜

FBD1J4eVUAEboQO.jpeg.jpg

 

- 참고; BSPDN 설명글

https://meeco.kr/ITplus/35168219

 

그 이하 노드로 3DS FET / 2D 물질 / 저저항 메탈 소재 등을 연구 하고 있다고 합니다.

 

20221020_EF_BC_BF143017.jpg

4나노 파생노드 이야기입니다.

SF4E(4LPE) 대비 성능 Gain 수치가 나오고

MOL(컨택 레이어)의 CB OVER RX를 깨알같이 자랑하고 있습니다.

 

-참고; CB OVER RX 소개자료 @ 삼성

c695ddfa89c300b020ab23177e226d53.png

 

그리고 저수율 논란을 의식한건지 SF4/SF4P의 디펙덴시티가 SF5E(5LPE) 대비 낮다고 어필하네요.

(사실 노드가 미세화 될 수록 디펙 덴시티 하향은 반드시 동반되어야 하는거라... 당연한거긴한데 뭐 일단 어필합니다.)

 

20221020_EF_BC_BF143456.jpg

Automotive 향 공정 내용인데....

잘 안보이네요 ㅠ

 

20221020_EF_BC_BF143735.jpg

특화 공정 로드맵이 한번 더 나오는데

일정이 보이네요.

 

17LPV CIS 로직용 공정 3Q 22

14LPU eNVM 4Q 22 / 1Q 24(Auto)

8LPV eNVM 4Q 26

 

RF는 5나노까지 계획중인게 다시 언급되구요.

 

20221020_EF_BC_BF144534.jpg

8nm RF 어필입니다.

 

20221020_EF_BC_BF144833.jpg

8인치 특화공정 어필인데 잘 안보이네요 ㅠ

 

20221020_EF_BC_BF145014.jpg

파워소자 관련 어필 입니다.

 

20221020_EF_BC_BF161645.jpg

HPC 시장에 대한 미래그림입니다.

 

20221020_EF_BC_BF161742.jpg

Automotive 시장에 대한 미래그림 입니다.

 

20221020_EF_BC_BF161838.jpg

투자 어필입니다.

 

댓글
8
흡혈귀왕
1등 흡혈귀왕
2022.10.20. 21:43

SF4E(4LPE) -> SF4(4LPP) 성능 8% 향상

SF4(4LPP) -> SF4P(4LPP+) 성능 10% 향상

SF4E(4LPE) -> SF4P(4LPP+) 성능 19% 향상

 

소비전력 이야기가 없는게 아쉽네요

[흡혈귀왕]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
포인트봇
포인트봇 흡혈귀왕 님께
2022.10.20. 21:36
회원님 3포인트 채굴 성공!
[포인트봇]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
좌지우건
글쓴이
좌지우건 흡혈귀왕 님께
2022.10.20. 21:38

읭 밀도라하시면 Tr덴시티요?

어디나와요? 못보았는데...

[좌지우건]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
흡혈귀왕
흡혈귀왕 좌지우건 님께
2022.10.20. 21:51

 

Screenshot_20221020_214025_Samsung Internet.jpg

Tr density 아니었네요 ㅠㅠ

난독크리 ㅠ

 

 

[흡혈귀왕]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
흡혈귀왕
2등 흡혈귀왕
2022.10.20. 21:39

SF3(3GAP)가 SF4(4LPP) 대비 향상치는

 

성능 +22%

소비전력 -34%

면적 -21%

 

개선이군요.

나쁘지 않네요.

[흡혈귀왕]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
MaxPax
3등 MaxPax
2022.10.20. 21:47

왜 공정이 미세화되면 결함 밀도도 같이 따라서 줄어드나요?

[MaxPax]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
좌지우건
글쓴이
좌지우건 MaxPax 님께
2022.10.20. 22:20

미세화를 시켜서 디펙덴시티가 줄었다가 아니라

D0가 아닌 단순 수율로 이전세대랑 동등수율이 나오려면 이전 노드대비 디펙덴시티를 줄여야합니다.

(선행노드 수율 확보를 위한 선행 조건이 이전노드 대비 D0 감소라는 뜻)

 

Advanced Technology Leadership.mp4_snapshot_03.06_[2021.06.01_20.37.28].jpg

 

TSMC도 그래서 신규노드 이야기 할 때 이전 노드대비 D0를 이야기하지요.

[좌지우건]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
MaxPax
MaxPax 좌지우건 님께
2022.10.20. 22:16

이게 트랜지스터 밀도가 올라가면 칩 사이즈가 줄어드니 상대적으로 높은 결함 밀도로도 비슷한 수율을 뽑을 수 있는 거 아닌가요? 반도체의 세계는 어렵네요...

[MaxPax]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
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