마이크론, 1b D램 샘플 양산 시작…삼성·SK도 내년 양산 계획
메모리 3사 '업계 최초' 경쟁…고부가 시장 선점·원가경쟁력 확보 차원

SK하이닉스가 EUV를 활용해 양산하는 10나노급 4세대 D램(SK하이닉스 제공)

메모리 반도체업계에서 차세대 공정 도입 경쟁이 한층 가열되고 있다. 글로벌 경기침체 여파로 반도체 수요와 가격이 동반 하락하는 업황 한파 속에서도 원가경쟁력을 높이고 차세대 제품 시장을 선점하기 위한 전략으로 풀이된다. 다음 호황기를 대비하는 차원이기도 하다. 

7일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 D램 업체 3사는 10나노대 5세대(1b) 공정을 적용한 D램 제품 상용화 시점을 앞두고 경쟁하고 있다. 

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